据eeNews报道，嵌入式AI处理器开发商Anaflash正在与三星代工厂合作开发嵌入式闪存IP。

　　作为该过程的一部分，Anaflash已从明尼苏达大学获得使用单多晶硅嵌入式闪存的独家许可。

　　该技术最初由明尼苏达大学的Chris Kim教授开发，他继续为各种应用开发该技术，包括嵌入式非易失性存储器、伪造检测传感器和神经形态计算核心。

　　Anaflash与该大学就内存计算AI进行了合作，它表示计划将非易失性存储器商业化，用于医疗可穿戴设备、无线传感器和机器人等电池供电应用.

　　Anaflash首席执行官兼联合创始人Seung-Hwan Song表示，闪存可以使用标准逻辑流程构建，没有任何流程开销。这使得该过程易于部署在“高级过程节点”中，而不会增加成本。

　　Anaflash成立了一家名为SemiBrain的全资子公司，与三星代工厂签订了开发嵌入式闪存IP的合同。Anaflash最近完成了由Mirae Asset Venture Investment和We Ventures领投的一轮融资，但没有透露融资金额。

　　韩国科学技术高等研究院利用Anaflash的逻辑兼容嵌入式闪存IP制造了AI芯片，该芯片将于4月23日至26日在德克萨斯州圣安东尼奥举行的定制集成电路会议上展示。