当地时间3月2日，GaN Systems与英飞凌联合发布新闻，宣布两家公司已签署收购事宜的最终协议。根据该协议，英飞凌将以8.3亿美元收购GaN Systems，该笔收购所需资金将来自英飞凌现有的流动资金。

　　据介绍，英飞凌是电力系统和物联网领域的全球半导体领导者，以其产品和解决方案推动脱碳和数字化。而被收购方GaN Systems是GaN功率半导体领域的全球领导者，拥有广泛的晶体管产品组合，可满足当今最苛刻行业的需求，包括消费电子产品、数据中心服务器和电源、可再生能源系统、工业电机和汽车电子产品。

　　英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：

　　GaN技术为更节能、更节约二氧化碳的脱碳解决方案铺平了道路。在移动充电、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和电动汽车车载充电器等应用领域的采用正处于转折点，这将导致市场的动态增长。基于无与伦比的研发资源、应用理解和客户项目管道，计划中的收购GaN Systems将显著加快我们的GaN路线图。根据我们的战略，此次合并将通过掌握所有相关的电源技术，无论是硅、碳化硅还是氮化镓，进一步加强英飞凌在电源系统领域的领导地位。

　　GaN Systems首席执行官Jim Witham表示:

　　GaN Systems团队很高兴与英飞凌合作，在整合互补优势的基础上，为客户提供高度差异化的产品。凭借我们在提供卓越解决方案方面的共同专长，我们将最佳地利用GaN的潜力。将GaN系统的代工走廊与英飞凌的内部制造能力相结合，可以实现最大的增长能力，以服务于我们广泛的目标市场加速采用GaN。我对GaN系统迄今为止所取得的成就感到非常自豪，迫不及待地想与英飞凌一起谱写下一个篇章。作为一家拥有广泛技术能力的集成设备制造商，英飞凌使我们能够释放全部潜力。

　　作为宽频带隙材料，GaN通过更高的功率密度、更高的效率和尺寸减小为客户提供价值，这些特性可以实现节能和更小的外形尺寸，使GaN适用于广泛的应用。

　　去年2月，英飞凌宣布在宽频带隙领域加倍投资，投资超过20亿欧元在马来西亚久林新建一个前端晶圆厂，以加强其市场地位。第一批晶圆将于2024年下半年产出，将增加英飞凌在奥地利的现有宽频带隙制造能力。