比利时微电子研究中心（IMEC）预测，芯片工艺将于2036年进入0.2nm时代。近日，IMEC提出了一条芯片工艺技术发展路径，并预计人们通过在架构、材料、晶体管的新基本结构等方面的一系列创新，2036年芯片工艺有望演进到0.2 nm。

　　IMEC是世界最著名的研究机构之一，以半导体研究为重点，与英特尔、台积电和三星、ASML、应用材料公司均有广泛合作。IMEC的路线图可以让人们对半导体行业即将出现的进步有更长远的看法。

　　晶体管工艺微缩是芯片技术发展的关键。随着工艺微缩的演进，芯片可以提高性能、降柢成本与功耗。现在，台积电与三星正在致力于实现3nm工艺的量产。但是，随着工艺微缩进入10nm以下，越来越接近物理极限，面临的挑战也越来越大，包括量子效应对微芯片运行的干扰，内存墙的存在，漏电流的增大，以及芯片复杂性增加造成的制造成本、设计工艺开发成本的增加等。

　　IMEC表示，光刻技术的不断进步是进一步缩小尺寸的关键，同时人们还需要晶体管架构的创新。从2 nm开始GAA架构将是必不可少的。CFET晶体管架构将是GAA继承者。CFET晶体管将采用原子厚度的新型超薄二维单层材料，如二硫化钨(WS2)或钼。该器件路线图与光刻路线图相结合，将带人们进入以“埃”为单位的时代。