消费性需求不见起色，供应链库存仍高，第四季DRAM价格跌幅扩大至13~18%
TrendForce集邦咨询：消费性需求不见起色，供应链库存仍高，第四季DRAM价格跌幅扩大至13~18%
据TrendForce集邦咨询研究显示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软，旺季不旺，第三季存储器位元消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因存储器需求明显下滑而延缓采购，导致供应商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供应商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，皆是导致第四季DRAM价格跌幅扩大至13~18%的原因。
PCDRAM方面，由于笔电需求疲弱，PCOEM仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位元产出仍持续升高，供应商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来看，第四季价跌预测皆是13~18%，而DDR5的跌价幅度将大于DDR4。但随着DDR5的渗透率持续升高，加上单价较高的特性，第四季DDR5于PCDRAM领域的渗透率将提升至13~15%，使得整体PCDRAM（合并DDR5及DDR4）平均单价略有提升，预估第四季PCDRAM价格季跌约10~15%。
ServerDRAM方面，由于新平台延期导致服务器终端降低采购serverDRAM位元数，并预期第四季服务器整机出货下滑，加上客户端serverDRAM库存约9~12周属偏高水位。同时，由于OEM以及中国云端服务供应商减缓拉货力道，故原厂转以着重北美云端服务供应商议价和量，但产出仍无法有效去化，使原厂库存压力持续攀升。此外，除了原先第三季已谈定的两季度绑定合并议价外，亦不排除今年底卖方会再提供买方用更低的价格提前为明年第一季拉货，第四季DDR4季跌幅恐因此深达13~18%。而DDR5第四季将正式转为量产状态，相较前一季的样品价会下跌25~30%，但量产初期渗透率仅约5%，故对整体serverDRAM（合并DDR5及DDR4）均价影响有限，预估第四季serverDRAM跌幅约13~18%。
MobileDRAM方面，智能手机品牌持续调节mobileDRAM库存，预期至第三季底库存水位仍有7~9周，且销售市场仍存变量，故品牌也不断向下修正年度生产目标，更加剧mobileDRAM库存去化难度。随着各厂先进制程比重持续拉高，贡献mobileDRAM位元产出上升，而原厂的合并下半年的议价策略并未奏效，品牌客户需求未因此提升。尽管第四季有苹果新品提振市场需求，但因先前积累的库存压力仍在，加上第四季供给仍有增加，原厂库存压力更甚，势必加大降幅以提升客户采购意愿，预估第四季mobileDRAM价格跌幅约13~18%，且可能持续扩大。
GraphicsDRAM方面，TrendForce集邦咨询预期graphicscards将再出现降价，但终端的各类促销手段也仅能去化原有库存，对带动新需求的帮助有限。受买方进行库存调节影响，GDDR68Gb与16Gb需求皆同步弱化，即便DRAM供应商在第三季已降价但无法刺激买方的采购量，故原厂graphicsDRAM库存持续堆高，连带原先的投片量陆续产出，形成更大的压力。以第四季来看，虽然GDDR68Gb供应商仅剩Samsung（三星）与SKhynix（SK海力士）两家，但因庞大库存压力影响，使得双方将无法避免地进行削价竞争的抢单行为，故GDDR68Gb第四季的跌幅恐高于GDDR616Gb，价格跌幅约10~15%。
ConsumerDRAM方面，虽网通端受惠于短料缓解，以及欧美地区的基础建设升级，使consumerDRAM出货量较为稳定，但难以消除来自其他终端产品的需求下滑；且正值价格下行周期，客户皆将库存保持在健康水位，并未积极备货，预期consumerDRAM需求仍疲弱。受到全年智能手机生产量下修波及，影像传感器（CIS）需求亦同步下滑，韩厂因此放缓旧制程（DDR3/DDR4）转进CIS的步伐，导致consumerDRAM位元产出持续放量，库存压力难以削减。由于供过于求情形未缓解，第四季DDR3与DDR4季跌预估为10~15%，整体consumer第四季价格跌幅为10~15%。
据TrendForce集邦咨询研究显示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软，旺季不旺，第三季存储器位元消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因存储器需求明显下滑而延缓采购，导致供应商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供应商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，皆是导致第四季DRAM价格跌幅扩大至13~18%的原因。
PCDRAM方面，由于笔电需求疲弱，PCOEM仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位元产出仍持续升高，供应商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来看，第四季价跌预测皆是13~18%，而DDR5的跌价幅度将大于DDR4。但随着DDR5的渗透率持续升高，加上单价较高的特性，第四季DDR5于PCDRAM领域的渗透率将提升至13~15%，使得整体PCDRAM（合并DDR5及DDR4）平均单价略有提升，预估第四季PCDRAM价格季跌约10~15%。
ServerDRAM方面，由于新平台延期导致服务器终端降低采购serverDRAM位元数，并预期第四季服务器整机出货下滑，加上客户端serverDRAM库存约9~12周属偏高水位。同时，由于OEM以及中国云端服务供应商减缓拉货力道，故原厂转以着重北美云端服务供应商议价和量，但产出仍无法有效去化，使原厂库存压力持续攀升。此外，除了原先第三季已谈定的两季度绑定合并议价外，亦不排除今年底卖方会再提供买方用更低的价格提前为明年第一季拉货，第四季DDR4季跌幅恐因此深达13~18%。而DDR5第四季将正式转为量产状态，相较前一季的样品价会下跌25~30%，但量产初期渗透率仅约5%，故对整体serverDRAM（合并DDR5及DDR4）均价影响有限，预估第四季serverDRAM跌幅约13~18%。
MobileDRAM方面，智能手机品牌持续调节mobileDRAM库存，预期至第三季底库存水位仍有7~9周，且销售市场仍存变量，故品牌也不断向下修正年度生产目标，更加剧mobileDRAM库存去化难度。随着各厂先进制程比重持续拉高，贡献mobileDRAM位元产出上升，而原厂的合并下半年的议价策略并未奏效，品牌客户需求未因此提升。尽管第四季有苹果新品提振市场需求，但因先前积累的库存压力仍在，加上第四季供给仍有增加，原厂库存压力更甚，势必加大降幅以提升客户采购意愿，预估第四季mobileDRAM价格跌幅约13~18%，且可能持续扩大。
GraphicsDRAM方面，TrendForce集邦咨询预期graphicscards将再出现降价，但终端的各类促销手段也仅能去化原有库存，对带动新需求的帮助有限。受买方进行库存调节影响，GDDR68Gb与16Gb需求皆同步弱化，即便DRAM供应商在第三季已降价但无法刺激买方的采购量，故原厂graphicsDRAM库存持续堆高，连带原先的投片量陆续产出，形成更大的压力。以第四季来看，虽然GDDR68Gb供应商仅剩Samsung（三星）与SKhynix（SK海力士）两家，但因庞大库存压力影响，使得双方将无法避免地进行削价竞争的抢单行为，故GDDR68Gb第四季的跌幅恐高于GDDR616Gb，价格跌幅约10~15%。
ConsumerDRAM方面，虽网通端受惠于短料缓解，以及欧美地区的基础建设升级，使consumerDRAM出货量较为稳定，但难以消除来自其他终端产品的需求下滑；且正值价格下行周期，客户皆将库存保持在健康水位，并未积极备货，预期consumerDRAM需求仍疲弱。受到全年智能手机生产量下修波及，影像传感器（CIS）需求亦同步下滑，韩厂因此放缓旧制程（DDR3/DDR4）转进CIS的步伐，导致consumerDRAM位元产出持续放量，库存压力难以削减。由于供过于求情形未缓解，第四季DDR3与DDR4季跌预估为10~15%，整体consumer第四季价格跌幅为10~15%。
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