BJT工作于放大状态的条件：

1．器件内部条件：在制造工艺上要求发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低；集电区面积大，且掺杂浓度低于发射区。

2．外部电路条件：要使发射结正向偏置，集电结反向偏置。以共基电路为例，外加电压如下图所示。图中V_BB使发射结正偏，V_CC使集电结反偏。