在如图1所示的共射极接法的BJT的小信号模型中，H参数的数量级一般为

<?XML:NAMESPACE PREFIX = V /><?XML:NAMESPACE PREFIX = O />

图1

图2

例如，对高频小功率硅管3DG6，在I_C=1mA，I_B=3μA，V_CE=5V时的H参数，通过实验测得

由这些具体数字可见，h_oe和h_re相对而言是很小的，对于低频放大电路，输入回路中h_rev_ce比v_be小得多，而输出回路中负载电阻R_c（或R_L）比BJT输出电阻1/h_oe小得多，所以在模型中常常可以把h_re和h_oe忽略掉，这在工程计算上不会带来显著的误差。同时采用习惯符号，用r_be代替h_ie并且b代替h_fe，则图1可简化成图2所示模型电路。利用这个简化模型来表示BJT时，可使BJT放大电路的分析计算进一步简化。当负载电阻R_c（或R_L）较小，满足R_c（或R_L）< 0.1r_ce的条件时，利用这个简化模型来分析低频放大电路所得放大电路的各主要指标，如电压增益、电流增益、放大电路的输入电阻R_i及输出电阻R_o等，其误差不会超过10%。