由于BJT本身参数具分散性且会随Q点变化而改变，因此在应用H参数等效电路来分析放大电路时，首先必须得到BJT在Q点处的H参数。

获得H参数的方法:

图1

1、可采用H参数测试仪，或利用BJT特性图示仪测量b和r_be。

2、也可以借助公式进行估算r_be：

r_be= r_b+（1+b）r_e （1）

式中r_b为基区体电阻，对于低频小功率管，r_b约为200W 左右。r_e为发射结电阻。（1+b）r_e是r_e折算到基极回路的等效电阻，根据PN结的V-I 特性表达式，可以导出r_e的值为V_T（mV）/I_E（mA）。这样，式（1）可改写为

（2）

式中V_T为温度的电压当量，在室温（300K）时，其值为26mV。应当注意的是，式（2）的适用范围为0.1mA<I_E<5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。