一、稳定工作点的措施

1. 针对I_CBO的影响，可设法使基极电流I_B随温度的升高而自动减小。

2. 针对V_BE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。

二、射极偏置电路稳定工作点的原理

射极偏置电路如图1所示，其直流通路如图2所示。

电路参数选择使电路满足I₁>>I_B条件，可得

V_B » R_b2V_CC/（R_b1+ R_b2）

当温度上升® I_C（I_E）增加® I_ER_e增加® V_BE减小（因V_BE=V_B–I_ER_e，而V_B一定）® I_B自动减小® 结果牵制了I_C的增加，I_C 基本恒定

设计此种电路时，一般可选取：I₁=（5~10）I_B （硅管）

I₁=（10~20）I_B （锗管）

V_B=（3~5）V （硅管）

V_B=（1~3）V （锗管）

由上面的分析可知，BJT参数I_CBO、V_BE、b均随温度变化，对Q点的影响，最终都表现在使Q点电流I_C变化。从这一现象出发，在温度变化时，如果能设法使I_C近似维持恒定，问题就可得到解决。如可采取两方面的措施：

（1）针对I_CBO的影响，可设法使基极电流I_B随温度的升高而自动减小。

（2）针对V_BE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。

射极偏置电路是可实现上面两点设想的电路。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的：利用R_b1和R_b2组成的分压器以固定基极电位。如果I₁>>I_B（I₁是流经R_b1、R_b2的电流），就可近似地认为基极电位V_B» R_b2V_CC/（R_b1+ R_b2）。在此条件下，当温度上升时，I_C（I_E）将增加，由于I_E的增加，在R_e上产生的压降I_ER_e也要增加，I_ER_e的增加部分回送到基极-发射极回路去控制V_BE，使外加于管子的V_BE减小（因V_BE=V_B–I_ER_e，而V_B又被R_b1和R_b2所固定），由于V_BE的减小使I_B自动减小，结果牵制了I_C的增加，从而使I_C基本恒定。

由上述分析可知，I₁愈大于I_B、V_B愈大于V_BE，则该电路稳定工作点的效果愈好。为兼顾其他指标，设计此种电路时，一般可选取

I₁=（5~10）I_B （硅管）

I₁=（10~20）I_B （锗管）

V_B=（3~5）V （硅管）

V_B=（1~3）V （锗管）