1、BJT高频小信号模型的提出：

根据BJT的特性方程，推导出的H参数低频小信号模型在高频运用的情况下，其物理过程有些差异，主要表现在BJT的极间电容不可忽略。为此，我们从BJT的物理机构出发加以分析，再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程，从而得出BJT的高频小信号模型，如图1所示。现就此模型中的各个元件参数作一简要的说明。

2、BJT的高频小信号模型：

在图示的BJT的高频小信号模型中

r_bb¢ ——基区体电阻。

r_b¢e ——发射结的小信号电阻，由于发射结正偏，r_{b¢e很小。}

C_b¢e ——发射结电容。

r_b¢c ——集电结反偏小信号电阻（图中未画出）。

C_b¢c——集电结电容。

——受控电流源 ，它受 所控制。g_m称为互导，定义为 。

r_ce ——受控电流源的电阻（图中未画出）。

在高频情况下，r_b¢c 的数值很大，可以忽略不计； 一般 ，因此，r_ce也略去。