安森美碳化硅工厂建成，晶圆产能增五倍
近日，安森美位于美国新罕布什尔州的碳化硅(SiC)工厂落成。据了解，该基地将使安森美到2022年年底的SiC晶圆产能同比增加五倍。此外，此次扩张建厂能够使得安森美掌握更完整的SiC制造供应链，使其具备SiC粉末和石墨原料的采购，以及将封装好的SiC器件进行交付的能力。
安森美表示，公司未来三年将实现40亿美元的SiC收入，2022年的SiC的收入将比去年增加两倍，并在2023年实现超过10亿美元的收入。
近年来，宽禁带半导体中的碳化硅技术变得愈发成熟，其应用领域也越来越广泛，其中在电动汽车领域的增长迅速，使得以Wolfspeed、安森美等为首的半导体大厂也开始不断加大SiC领域的布局。据了解，与传统硅功率半导体相比，碳化硅具备耐高温、耐高频和耐高压等特性，而传统的硅功率半导体器件，容易受到场强、禁带、能隙、热导率等限制，这也使得SiC功率器件在电动汽车领域广受关注。在特斯拉率先在Model3牵引逆变器中采用SiC组件之后，SiCMOSFET开始逐渐取代电动汽车功率模块中成熟的硅IGBT，也使得硅与碳化硅应用之间的鸿沟开始逐渐缩小。
据了解，采用碳化硅芯片的电动车，能够使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。
安森美在此次公告中表示，预计SiC的潜在市场容量将从2021年的20亿美元增长到2026年的65亿美元，年复合增长率33%。可见，未来，碳化硅仍被高度看好。
安森美表示，公司未来三年将实现40亿美元的SiC收入，2022年的SiC的收入将比去年增加两倍，并在2023年实现超过10亿美元的收入。
近年来，宽禁带半导体中的碳化硅技术变得愈发成熟，其应用领域也越来越广泛，其中在电动汽车领域的增长迅速，使得以Wolfspeed、安森美等为首的半导体大厂也开始不断加大SiC领域的布局。据了解，与传统硅功率半导体相比，碳化硅具备耐高温、耐高频和耐高压等特性，而传统的硅功率半导体器件，容易受到场强、禁带、能隙、热导率等限制，这也使得SiC功率器件在电动汽车领域广受关注。在特斯拉率先在Model3牵引逆变器中采用SiC组件之后，SiCMOSFET开始逐渐取代电动汽车功率模块中成熟的硅IGBT，也使得硅与碳化硅应用之间的鸿沟开始逐渐缩小。
据了解，采用碳化硅芯片的电动车，能够使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。
安森美在此次公告中表示，预计SiC的潜在市场容量将从2021年的20亿美元增长到2026年的65亿美元，年复合增长率33%。可见，未来，碳化硅仍被高度看好。
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