由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式自偏压电路。

1．自偏压电路

图1(a)所示电路是一个自偏压电路，其中场效应管的栅极通过电阻R_g接地，源极通过电阻R 接地。这种偏置方式靠漏极电流I_D在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压V_GS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位V_S=I_DR。由于栅极电流为零，R_g上没有电压降，栅极电位V_G=0，所以栅源偏置电压V_GS= V_G–V_S= –I_DR 。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。

图1(b)所示电路是自偏压电路的特例，其中V_GS=0。显然，这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管，因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内，耗尽型MOS管均能正常工作。

增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压V_T时，才有漏极电流I_D产生，因此这类管子不能用于图1所示的自偏压电路中。

2．分压式偏置电路

分压式偏置电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的，如图2所示。静态时，由于栅极电流为零，R_g3上没有电压降，所以栅极电位由R_g2与R_g1对电源V_DD分压得到，即 。源极电位V_S=I_DR，因此栅源直流偏置电压 。

这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路