200层以上3D NAND闪存的竞争将加速QLC SSD应用
5月20日，据DIGITIMES报道，业内人士透露，芯片制造商加入200层以上3DNAND闪存芯片的竞争将加速QLCSSD的应用，尤其是在2023年的消费领域。
消息人士指出，在消费类SSD中，QLCNAND闪存的采用率预计明年将达到20%。
消息人士称，由于QLCNAND闪存的价格将被芯片制造商的技术迭代进一步拖累，预计2024年至2025年，QLCNANDSSD也将被广泛用于企业级SSD。
消息人士指出，三星电子可能最早于2022年底开始生产200层以上的3DNAND闪存芯片。该厂商预计将在2023年初推出其超过200层的第八代V-NAND。
美光科技已经推出了声称是业界首个232层的3DNAND闪存，它将被用于在2023年推出的新SSD。这家美国供应商还公布了2YY层、3XX层和4XX层NAND技术的计划。
报道称，三星和美光都已经在大规模生产各自的176层3DNAND闪存芯片。
西部数据在其最近的投资者日活动中披露了与合作伙伴铠侠开发2XX层NAND技术的计划。西部数据表示，他们的第六代162层的BiCS3DNAND技术将是今年的制造重点。
消息人士指出，在消费类SSD中，QLCNAND闪存的采用率预计明年将达到20%。
消息人士称，由于QLCNAND闪存的价格将被芯片制造商的技术迭代进一步拖累，预计2024年至2025年，QLCNANDSSD也将被广泛用于企业级SSD。
消息人士指出，三星电子可能最早于2022年底开始生产200层以上的3DNAND闪存芯片。该厂商预计将在2023年初推出其超过200层的第八代V-NAND。
美光科技已经推出了声称是业界首个232层的3DNAND闪存，它将被用于在2023年推出的新SSD。这家美国供应商还公布了2YY层、3XX层和4XX层NAND技术的计划。
报道称，三星和美光都已经在大规模生产各自的176层3DNAND闪存芯片。
西部数据在其最近的投资者日活动中披露了与合作伙伴铠侠开发2XX层NAND技术的计划。西部数据表示，他们的第六代162层的BiCS3DNAND技术将是今年的制造重点。
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