美光宣告232层3D-NAND即将到来，未来十年的路线图将超过400层
当地时间5月17日，据eeNews报道，美光科技公司表示，它将于今年晚些时候开始出货其下一代3D-NAND内存组件，即232层设备。
美光负责技术和产品的执行副总裁ScottDeBoer披露了未来十年的3D-NAND路线图，该路线图将超过400层。
在3D-NAND生产中，美光已经在96层和176层闪存芯片上占据强势地位。DeBoer表示，该公司将在2022年晚些时候开始增加232层闪存的制造规模。这将使该公司在市场上具备明显的领先优势。
该公司展示了一款带有三层单元的1Tbit3D-NAND存储器芯片，但DeBoer表示，美光的重点将包括保持每个单元4bit的领先地位。
该存储器将包括CMOS下的阵列技术和双堆栈机制。DeBoer还称，与176层的版本相比，232层的版本将提供更高的密度、功率和带宽，性能细节将在后期公布。
此外，基于更高容量3D-NAND器件的固态硬盘预计将在2023年推出。
美光负责技术和产品的执行副总裁ScottDeBoer披露了未来十年的3D-NAND路线图，该路线图将超过400层。
在3D-NAND生产中，美光已经在96层和176层闪存芯片上占据强势地位。DeBoer表示，该公司将在2022年晚些时候开始增加232层闪存的制造规模。这将使该公司在市场上具备明显的领先优势。
该公司展示了一款带有三层单元的1Tbit3D-NAND存储器芯片，但DeBoer表示，美光的重点将包括保持每个单元4bit的领先地位。
该存储器将包括CMOS下的阵列技术和双堆栈机制。DeBoer还称，与176层的版本相比，232层的版本将提供更高的密度、功率和带宽，性能细节将在后期公布。
此外，基于更高容量3D-NAND器件的固态硬盘预计将在2023年推出。
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