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光二极管阵列检测器
作者: 来源:中国机电工程网    发布于:2021-06-22 11:09:41    文字:【】【】【
 光二极管阵列检测器
  中文名光二极管阵列检测器
  外文名Photodiode array detector
  作 用对光子有响应
  机 构反相偏置的p-n结组成
  光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的光学多道分析器。
  它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层,使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区,就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭,于是电导增加,增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘,它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时,每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位,起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴,空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时,又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。
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