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ESD11N

作者：来源：中国机电工程网发布于：2021-06-19 14:29:42 文字：【大】【中】【小】

安森美半导体推出的一款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件

ESD11N这0.6皮法(pF)器件，利用安森美半导体的专利集成ESD技术，提高钳位性能，同时维持低电容。低电容值确保这器件几乎不影响高速数据线路的信号完整性，使其非常适用于USB 2.0和高清多媒体接口(HDMI)等应用。此外，ESD11N在达3千兆赫(GHz)频率时维持低于0.5分贝(dB)的插入损耗，并在不同电压和频率范围内维持极佳的电容线性度，故适合保护高频天线线路，而影响极小

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