功率MOSFET的开关特性
作者：管理员 发布于：2015-07-03 20:07:49 文字：【
大】【
中】【
小】
摘要：
因为MOSFET 存在输入电容Ci， Ci有充电过程，栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时，开始出现漏极电流iD，从脉冲电压的前沿到iD出现，这段时间称为开通延迟时间td。
随着UGS增加，iD上升，从有iD到iD达到稳态值所用时间称为上升时间tr。开通时间ton可表示为
ton＝td＋tr
附件下载： (已下载0次)
浏览 (37) |
评论 (0) | 评分(0) |
支持(0) |
反对(0) | 发布人：
管理员
将本文加入收藏夹
标签：
