1．MOS控制晶闸管（MCT）

MOS控制晶闸管（MCT）的静态特性与晶闸管相似，由于它的输入端由MOS管控制，MCT属场控型器件,其开关速度快，驱动电路比GTO的驱动电路要简单；MCT的输出端为晶闸管结构，其通态压降较低，与SCR相当，比IGBT和GTR都要低。

MCT出现于20世纪80年代，开始发展很快，但其结构和制造工艺比较复杂，成品率不高，由于这些关键技术问题没有得到很好的解决，目前MCT没能投入实际使用。MCT的结构类似于IGBT，是一种复合型大功率器件，它将P-MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率及快开关速度和晶闸管的高电压、大电流、低导通压降的特点结合起来。其等值电路和符号如图1所示。

2．集成门极换流晶闸管（IGCT）

集成门极换流晶闸管（IGCT）于20世纪90年代开始出现。 IGCT的结构是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再将其门极驱动器在外部以低电感方式连接成环状的门电极。IGCT具有大电流、高电压、高开关频率（比GTO高10倍）、结构紧凑、可靠性好、损耗低、制造成品率高等特点。目前，IGCT已在电力系统中得到应用，以后有可能取代GTO在大功率场合应用的地位。

a） MCT等值电路                                 b） 符号            

图1  MCT等值电路及符号