其中， iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间；iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E两电极取出。
共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图1所示。
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图1 共发射接法的电压电流关系 |
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图2 |
简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE＝const(常数)。vCE的影响可以用三极管的内部的反馈作用解释，即vCE对iB的影响。
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图3 |
共发射极接法的输入特性曲线见图2，其中vCE＝0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB＝vCE－ vBE＞0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。
输入特性曲线的分区：死区、非线性区、线性区。
2．输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图3所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明。当vCE＝0V时，因集电极无收集作用，ic＝0。当vCE微微增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如vCE＜1 V；vBE＝0.7 V； vCB＝ vCE－vBE≤0.7V 。集电区收集电子的能力很弱，ic主要由vCE决定。当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如vCE ≥1V，vBE≥0.7 V，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域 (这与输入特性曲线随vCE增大而右移的原因是一致的) 。
输出特性曲线可以分为三个区域：
饱和区--iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
截止区--iC接近零的区域，相当iB＝0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。
放大区--iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管)
