1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_B=f (v_BE)½ v_CE=常数

(1) 当v_CE=0V时，相当于C和E短接，表现为PN结的正向伏安特性曲线。

(2) 当v_CE≥1V时， v_CB= v_CE - v_BE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的v_BE下I_B减小，特性曲线右移。

(3) 输入特性曲线的三个部分

①死区

死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V

②非线性区

③线性区

I_B在很大范围内变化，V_BE基本不变（恒压）。V_BE值：硅管约0.7V，锗管约0.2V。

2. 输出特性曲线（以共射极放大电路为例）

i_C=f (v_CE)½ i_B=常数

输出特性曲线的三个区域

饱和区：i_C明显受v_CE控制的区域，该区域内，一般v_CE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

放大区：i_C平行于v_CE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。

截止区：i_C接近零的区域，即i_B=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正向电压小于死区电压。