恒流区：(又称饱和区或放大区）

特点: (1)受控性：输入电压vGS控制输出电流iD。

(2)恒流性：输出电流iD 基本不受输出电压vDS的影响。

用途: 可做放大器和恒流源

条件: (1)源端沟道未夹断

(2)漏端沟道予夹断

可变电阻区：

特点:（1）当vGS 为定值时, iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，其阻值受 vGS 控制。

（2）管压降vDS 很小。

用途：做压控线性电阻和无触点的、接通状态的电子开关。

条件：源端与漏端沟道都不夹断

夹断区：

特点：

用途：做无触点的、断开状态的电子开关。

条件：整个沟道都夹断

击穿区：

当漏源电压增大 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20~ 50）V之间。管子不能在击穿区工作。

2. 转移特性

输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制

可在曲线上求g_m ：

结型场效应管的特性小结

3. 主要参数

① 夹断电压V_P (或V_GS(off))：漏极电流约为零时的V_GS值 。

② 饱和漏极电流I_DSS：当V_GS=0，V_DS> |V_P|时对应的漏极电流。

③ 低频跨导g_m：低频跨导反映了v_GS对i_D的控制作用。g_m可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。

或

④直流输入电阻R_GS：在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。在手册上又称栅源绝缘电阻。

⑤输出电阻rd： 反映了漏源电压对漏极电流的影响。 i_D随v_DS改变很小，所以r_d的数值很大，在几十千欧到几百千欧之间。

⑥ 最大漏源电压V_(BR)DS ：栅漏间PN结发生雪崩击穿，i_D开始急剧上升时的v_DS值。

⑦ 最大栅源电压V_(BR)GS ：栅源间PN结的反向电流开始急剧增加时的v_GS值。

⑧ 最大耗散功耗P_DM ：P_DM＝v_DSi_D

金属－氧化物－半导体场效应管

金属－氧化物－半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。

分为： 增强型 ® N沟道、P沟道

耗尽型 ® N沟道、P沟道

耗尽型: V_GS=0时，存在导电沟道，

增强型: V_GS=0时，存在导电沟道