ZXGD3108N8
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出的40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-3mV，加上±2mV的紧密容差，可在轻载的情况下改善系统的稳定性及提高效率。
此外，这款控制器可灌入5A的电流，确保并联OR'ing MOSFET能够尽快放电，并且做到600ns的快速关断时间，以防止反向电流及在共轨系统上的电压降。在典型的12V配置内，器件的静态电流设定为400?A以下，待机功耗则少于5mW。
ZXGD3108N8 OR'ing MOSFET控制器采用SO-8封装。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-3mV，加上±2mV的紧密容差，可在轻载的情况下改善系统的稳定性及提高效率。
此外，这款控制器可灌入5A的电流，确保并联OR'ing MOSFET能够尽快放电，并且做到600ns的快速关断时间，以防止反向电流及在共轨系统上的电压降。在典型的12V配置内，器件的静态电流设定为400?A以下，待机功耗则少于5mW。
ZXGD3108N8 OR'ing MOSFET控制器采用SO-8封装。
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