DMN2990UFZ
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 。
三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。
DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。
全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。
三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。
DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。
全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。
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