N沟道耗尽型绝缘栅场效应管与增强型相同，只是它用的<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www.w3.org/1998/Math/MathML" /> Si O 2 绝缘层中掺有大量的正离子，所以管子在 U GS =0时就能在P型衬底上感应出一个N型反型层沟道，只要在DS间加上电压 U DS ，就有漏极电流 I D 产生。如果 U GS ＞0则沟道加宽， I D 随之增大，反之如果 U GS ＜0则沟道变窄， I D 随之减小，这体现了栅极电压 U GS 对漏极电流 I D 的控制作用；如果 U GS 负到一定数值则沟道彻底消失， I D =0，所以称为耗尽型场效应管，它在 U GS 为正或负时都可以工作，如图所示的是N沟道和P沟道两种耗尽型绝缘栅场效应管的结构和符号。