场效应管与双极型晶体管相比： 
 （１）场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
（２）场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD，称为电压控制器件；双极型晶体管是利用基极电流iB（或射极电流iE）来控制集电极电流iC，称为电流控制器件。
（３）场效应管的输入电阻很大；晶体管的输入电阻较小。
（４）场效应管的跨导gm的值较小，双极型晶体管的β值很大。在同等条件下，场效应管的放大能力不如晶体管高。
（５）结型场效应管的漏极和源极可以互换使用，MOS管如果衬底没有和源极接在一起，也可将d、s极互换使用；双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态，此时β将变得非常小。
（6）场效应管可作为压控电阻使用。
(7）场效应管是依靠多子导电，因此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。
场效应管还有一些缺点：如功率小，速度慢等。但由于它工艺简单，易于集成，故广泛应用于集成电路。