在最新发布的《The McClean Report》上，对中国IC产业的发展做了三个阶段的分析。从对阶段三的分析，我们可以看到中国自2014年推行半导体建设以来面对的一些成功和挫折。

根据中国政府的设想，他们不但想在IC器件上实现自给自足，其更长远的而目标是到了2025年，其IC的自给率会提升到40%，而到了2025年，这个数字会上升到70%。但我们认为这种想法过于天真。由于缺乏相关的技术、材料，中国的IC建设将会困难重重。

举个例子，在20世纪80年代，美国政府尝试去确保军事用途IC生产过程涉及的晶圆制造、封装材料和半导体设备中的每一项都应该有美国本土的供应商。这是30多年前的事情，当时的IC制造比现在简单得多，但最终因为很难覆盖生产的方方面面，因此整个计划最后告终了。

我们也明白到，中国制造2025成功的关键在于资金和技术。但我们认为在这些领域，中国很难获得他们所预想的成功。详细分析，资金不会是问题，因为中国政府推行了一个200亿美元的基金去推动IC产业的建设，另外还有近千亿美元的地方和私募基金的支持。这些钱足以支持中国建设至少十家高容量的300mm IC制造fab。另外我们也应该看到，由于中国的长期半导体建设计划，相关的设备公司在未来的数年将会从中收益。

ICinsights认为阻碍中国制造2025成功的最大障碍应该就是收购Fab所需的先进技术。

从2014年开始，中国为了发展半导体产业，在全球掀起了收购热潮，在早期的时候，在收购ISSI和豪威的时候取得了不错的成果，但现在美国等政府意识到了中国半导体的野心，因此提高了警惕和审核，中国未来的收购将会变得越来越艰难。换句话说，中国想通过收购先进技术和公司发展自身半导体产业的窗口已经关闭。

中国现在的IC FAB建设热潮不减，但是应用在其中的技术相较于市场的领先者，落后至少两个世代。类似长江存储、福建晋华集成电路和HLMC等厂，就是其中的代表。

虽然这些公司获得了充分的资金支持，并建设起了其厂房，但是他们都没有相关的技术去与业界先进竞争。

从早前的报道我们可以看到，中国建设了新的FAB之后，向三星、SK海力士和Intel的中国工厂招揽人才，这是中国发展本土半导体产业的方法。按照他们的寄望，这些先进公司的员工将会带来先进的IC制程知识和经验。但IC insights的观点认为，从发展制程技术的角度看，这是一种冒险。

回到2003年，中国纯晶圆厂SMIC投产第二年，TSMC提起诉讼，控诉SMIC雇佣了TSMC超过100名员工，并要求他们提供台积电的相关商业机密。同时TSMC还控告SMIC侵犯了台积电的五项专利（之后增长到八项）。而到了2005年，TSMC和SMIC就诉讼达成了和解，SMIC支付台积电1.75亿美元。

回到存储方面，中国方面希望借助这些来自三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝和西部数据的员工提高其产品水平，技术水平，并投入“结构”最新的DRAM和3D NAND 产品和技术，帮助中国建设并绕过其专利。IC Insights认为，存储产业经历了那么多年的发展，根本不可能开发出一个新技术，能够绕过这些专利的。

2016年，中国IC（包括国外半导体公司在国内的产能）产量占有全球1120亿美元中的11.6%，而这个数字在2011年只是9.8%。而在2016到2021年间，中国IC产能的年复合增长率将会高达18%。但考虑到中国IC的产能在2016年只有120亿美元。这个增长会从一个比较小的基数开始。

我们认为中国IC的市占率在未来将会获得很大的提升，但不会超过中国计划2025的目标。