当 磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，如图(a)所示，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。
　　当磁敏二极管受到外界磁场H’(正向磁场)作用时，如图(b)所示，则电子和空穴受到洛伦兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合消失速度比光滑面I区快，因此形成的电流因复合速度快而成小。

　　当磁敏二极管受到外界磁场H—(反向磁场)作用时，如图(c)所示，电子— 空穴对受到洛伦兹力作用向光滑面偏转，电子—空穴的复合率明显威小，因而形成的电流变大。(磁敏二极管反向偏置时，仅流过很微小电流，几乎与磁场无关。)
　　利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，便可实现磁电转换.而且由上可见腐复合面与光滑面的复合串差别愈大，磁敏二极管的灵敏度也就越高。