无缺陷量子结构阵列制备及其设备
本技术主要研究GaAs基上InAs QSAs材料的制备和通过纳米器件对材料性能的调制。 我们的方法是：在材料形成（生长）的过程中通过激光干涉图案的诱导，改变局部反应过程和（或）局域应力分布，为纳米结构（例如：量子点/线）阵列的成核提供场所（能量最低位置）。精密激光干涉光学器件和现有最先进的脉冲激光器集成在材料反应室（比如：分子束外延生长室），在材料表面上产生高度有序的高能图案光点，其间距小于波长。然后利用光热或光化学反应在由激光干涉图案预先确定的位置形成自组装的生长。该项目的科学目标是全面了解纳米级强光干涉脉冲光的吸收，并了解这如何影响反应表面的自组装过程。
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