蚀刻是MEMS制造过程中使用的基本重要技术。蚀刻利用了掩模材料与基底材料的蚀刻速度差。因此，实际的MEMS制造工艺往往组合使用多种材料。蚀刻可分为湿式工艺及干式工艺，这两种工艺又分别有各向同性蚀刻与各向异性蚀刻之分。

进行蚀刻时，如果能直接将保护膜用作掩模当然最好，但根据蚀刻液及蚀刻气体的不同，有机物保护膜经常会被蚀毁。这种情况下，可暂时在基底（硅底板）上制作例如二氧化硅层，借助保护膜在二氧化硅层上制作图案，然后将二氧化硅的图案作为掩模。

蚀刻可分为采用液体的湿式蚀刻、及采用反应性气体的干式蚀刻。二者又分别有各向同性蚀刻与各向异性蚀刻两种之分（图1）。

图1湿式蚀刻及干式蚀刻（各向同性蚀刻及各向异性蚀刻）

各向同性蚀刻时，不仅从掩模窗口往下的部分、连旁边的部分也以相同速度被蚀刻，因此，掩模的正下方会被挖掉。去除牺牲层时会采用这种方法。

各向异性蚀刻在希望只沿某个方向进行蚀刻时采用。湿式蚀刻利用了蚀刻速度的结晶各向异性。干式蚀刻时，由于是垂直发射离子，因而仅能对垂直方向进行蚀刻。