据ChosunBiz报道，2024年，三星将推出其第二代3nmGAP(GAA-Plus)工艺，同时该企业在美国的泰勒工厂将投入使用。该计划是重现8年前的“双轨”战略，将主要客户吸引回三星。

　　2014年，三星采用“双轨”方式，开发其14纳米FinFET工艺，同时还投资11万亿韩元（85亿美元）扩建其位于得克萨斯州奥斯汀的工厂设施。

　　2014年之前，奥斯汀工厂采用65-28纳米工艺。三星高层当时认为，引入最先进的制程有助于其获得高通的骁龙移动AP（应用处理器）订单。

　　最终，这个策略被证明是有效的。三星14nmFinFET首次超越台积电。三星不仅拿到了高通的14nmAP订单，还拿到了英伟达等公司的订单。

　　现在，在5/4nm时代因良率不佳导致订单落后于台积电后，三星希望以类似的策略扭转局面。韩媒指出，三星斥资170亿美元建设其泰勒工厂，预计2023年下半年设备进厂，2024年投产。

　　三星宣布于2022年6月底量产其第一代3nmGAE（GAA-Early）工艺。GAP工艺是第一代3nm工艺的升级版。韩国业内人士指出，三星已经决定，一旦3nmGAP制程稳定下来，就会引入泰勒工厂。