韩国硅晶圆厂新签代工协议，发力8英寸GaN功率半导体
据韩媒报道，9月22日，东部高科（DBHitech）与韩国半导体公司A-proSemicon宣布签署了一项开发GaN功率半导体代工工艺技术的商业协议，目标是开发8英寸GaN功率半导体技术。
根据谅解备忘录，双方将在2022年至2024年期间，推动“GaN功率半导体代工工艺技术的发展”。具体来看，东部高科将应用A-proSemicon生产的8英寸GaN外延片产品，共同开发核心工艺，最终目标是开发8英寸GaN功率半导体技术。
通过这项合作协议，A-proSemicon将确保稳定的代工合作伙伴，同时，东部高科8英寸工艺设备的兼容性将为A-proSemicon带来稳定的代工产能，有利于其进一步发展GaN功率半导体业务。
资料显示，A-proSemicon是韩国A-PROCo.,Ltd.的半导体业务子公司，于2020年引进美国设备厂Veeco的GaN功率半导体用8英寸MOCVD量产设备，同年底，A-proSemicon宣布与新加坡GaN-on-Si/SiC外延公司IGSSGaNPteLtd（IGaN）公司共同开发8英寸650VE-MODEGaN功率晶体管。
今年6月消息，A-proSemicon稳定了基于8英寸外延片650V高压GaN功率半导体元件的良率，并成功实现量产技术。同时还开发了低压GaN功率半导体元件，丰富了产品组合。
而作为全球晶圆代工厂主力军之一，东部高科也已将GaN和SiC功率半导体视作下一代增长引擎，近年来顺势大力发展第三代功率半导体市场。
在SiC功率半导体领域，东部高科今年6月透露拟建设8英寸SiC产线，目标是在2025年生产并向成品汽车供应首款1200VSiCMOSFET。目前，该公司正在测试和生产6英寸SiC功率半导体。
在GaN功率半导体领域，东部高科今年初宣布在硅基GaN上生长8英寸半导体元件的计划。据悉，采用硅基GaN技术可提升半导体制造的竞争力，从而简化晶圆工艺，提高晶圆代工厂的盈利能力。在此之前，台积电已将硅基GaN技术导入了6英寸晶圆代工厂，并携手意法半导体推进GaN制程技术的开发，旨在推动分离式与整合式GaN元件的落地应用。
从目前的动作来看，东部高科加快了8英寸GaN功率半导体技术和产品的开发，有望结合A-ProSemicon在8英寸GaN外延领域的专业知识和技术储备，缩短核心工艺的开发周期，加快8英寸GaN功率半导体器件产品研发及商业化的进程。
根据谅解备忘录，双方将在2022年至2024年期间，推动“GaN功率半导体代工工艺技术的发展”。具体来看，东部高科将应用A-proSemicon生产的8英寸GaN外延片产品，共同开发核心工艺，最终目标是开发8英寸GaN功率半导体技术。
通过这项合作协议，A-proSemicon将确保稳定的代工合作伙伴，同时，东部高科8英寸工艺设备的兼容性将为A-proSemicon带来稳定的代工产能，有利于其进一步发展GaN功率半导体业务。
资料显示，A-proSemicon是韩国A-PROCo.,Ltd.的半导体业务子公司，于2020年引进美国设备厂Veeco的GaN功率半导体用8英寸MOCVD量产设备，同年底，A-proSemicon宣布与新加坡GaN-on-Si/SiC外延公司IGSSGaNPteLtd（IGaN）公司共同开发8英寸650VE-MODEGaN功率晶体管。
今年6月消息，A-proSemicon稳定了基于8英寸外延片650V高压GaN功率半导体元件的良率，并成功实现量产技术。同时还开发了低压GaN功率半导体元件，丰富了产品组合。
而作为全球晶圆代工厂主力军之一，东部高科也已将GaN和SiC功率半导体视作下一代增长引擎，近年来顺势大力发展第三代功率半导体市场。
在SiC功率半导体领域，东部高科今年6月透露拟建设8英寸SiC产线，目标是在2025年生产并向成品汽车供应首款1200VSiCMOSFET。目前，该公司正在测试和生产6英寸SiC功率半导体。
在GaN功率半导体领域，东部高科今年初宣布在硅基GaN上生长8英寸半导体元件的计划。据悉，采用硅基GaN技术可提升半导体制造的竞争力，从而简化晶圆工艺，提高晶圆代工厂的盈利能力。在此之前，台积电已将硅基GaN技术导入了6英寸晶圆代工厂，并携手意法半导体推进GaN制程技术的开发，旨在推动分离式与整合式GaN元件的落地应用。
从目前的动作来看，东部高科加快了8英寸GaN功率半导体技术和产品的开发，有望结合A-ProSemicon在8英寸GaN外延领域的专业知识和技术储备，缩短核心工艺的开发周期，加快8英寸GaN功率半导体器件产品研发及商业化的进程。
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