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二次击穿
作者: 来源:中国机电工程网    发布于:2021-06-18 19:49:03    文字:【】【】【
二次击穿  
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿,只要外电路限制击穿后的电流,管子就不会损坏,待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后,管子也就恢复到正常工作,因此这种击穿是可逆的,不是破坏性的。如果上述击穿后,电流不加限制,就会出现集电极电压迅速减小,集电极电流迅速增大的现象,通常将这种现象称为二次击穿。
  产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高……,如此反复作用,最后导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量,用PSB表示。
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