二次击穿
二次击穿
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿，只要外电路限制击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后，管子也就恢复到正常工作，因此这种击穿是可逆的，不是破坏性的。如果上述击穿后，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致vCE下降，iC剧增，结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。可见，二次击穿是在高压低电流时发生的，相应的功率称为二次击穿耐量，用PSB表示。
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿，只要外电路限制击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后，管子也就恢复到正常工作，因此这种击穿是可逆的，不是破坏性的。如果上述击穿后，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致vCE下降，iC剧增，结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。可见，二次击穿是在高压低电流时发生的，相应的功率称为二次击穿耐量，用PSB表示。
将本文加入收藏夹
新闻详情
