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双极型晶体管参数符号及其意义
作者: 来源:中国机电工程网    发布于:2020-02-10 19:23:10    文字:【】【】【
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---发射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cn---中和电容(外电路参数)
Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容
Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容(外电路参数)
Cp---并联电容(外电路参数)
BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路,CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVcer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hRE---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗 
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE---外接发射极电阻(外电路参数)
RB---外接基极电阻(外电路参数)
Rc---外接集电极电阻(外电路参数)
RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)
RL---负载电阻(外电路参数)
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极(直流)电压
VCE---集电极-发射极(直流)电压
VBE---基极发射极(直流)电压
VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)
Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)
VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)
VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
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